실리콘 파츠 가공
Silicon Parts
당사에서 제조중인 Silicon Parts 제품은 주로 반도체 공정 중 식각(Etch) 공정에 사용되는 부품으로, Cathode Type(전극)류 와 Ring Type을 주력으로 생산하고 있습니다.
Production Process
STEP 01 웨이퍼 제조
실리콘 잉곳을 잘라 둥근 웨이퍼로 제작
STEP 02 산화
웨이퍼 표면에 실리콘 산화막 형성
STEP 03 포토
빛을이용해 웨이퍼 위에 반도체 회로 새김
STEP 04 식각
회로 패턴을 제외한 나머지 부분(산화막) 제거
STEP 05 증착·이온 주입
얇은 막을 만든 뒤, 전기적 특성을 갖도록 이온 주입
STEP 06 금속 배선
회로 패턴 따라 전기길(금속선) 연결
STEP 07 테스트(EDS)
웨이퍼에 있는 각각의 칩(다이)을 검사해 불량품을 솎아냄
STEP 08 패키징
웨이퍼상의 칩들을 낱개로 자르고 보호막을 입혀 반도체 완성
주요 Parts 제조 Spec
| 제품명 | Silicon Ring / Cathode |
|---|---|
| 제품설명 |
Cathode : Etcher 장비 상부 장착되어 Gas Flow를 통하여, Plasma 상태를 만들어 주는 역할 Ring : Cathode에서 생성된 Plasma를 정위치로 모아주는 역할 |
| 적용분야 | Etcher |
| 제품종류 |
Cathode : Si Electrode, Shower Head, Cel Inner Ring : Focus Ring, Insert Ring, Hot Edge Ring, Outer Ring, Ground Ring , Section Ring 등 |
| 원료 | Single Crystal Silicon, Poly Si, CVD SiC |
| 외경 | Ø600 Max |
| 저항 | 저저항 <0.1ohm.cm / 일반저항 1~20ohm.cm / 고저항 60~90ohm.cm |
| 전극 홀 | 지름(Diameter) 0.4~1.20 원형(Roundness) 0.01 ↓ 편심오차(Concentricity) 0.01 ↓ |
| 표면처리 | Polishing, Lappping, Grinding |
| 평탄도 | 0.01 |
| 가공 정밀도 | 0.03 |
Type
Normal Ring Type
Focus Ring
Edge Ring
Insert Ring
- Etcher의 Process 챔버 하부에 장착 → Plasma 를 정위치로 모아주는 역할
- 다양한 장비 및 다양한 형태의 제품 제작가능
- 고객 요구 사항에 맞는 Revision Version 제작 가능
- 다양한 Size별 제작 Know-how 보유
Outer Ring Type
Outer Ring
Section Ring
GND Ring
- Etcher의 Process 챔버 상부에 장착 → Cathode 외측에 장착되어 고정 및 보호 역할
- 고객 요구 사항에 맞는 Revision Version 제작 가능
- 다양한 재질 (Single / Multi) 제작 대응 가능
Cathode Type
Type 1
Type 2
Type 3
- Etcher의 Process 챔버 상부에 장착 → 전극 및 반응성 Gas의 균일한 분사
- 고객 요구 사항에 맞는 Revision Version 제작 가능 (다양한 표면처리 작업 가능)
- 미세 Hole (Min Ø0.35 ↑ , DOD 분석을 통한 고품질 정밀 가공)