반도체 소재 유통

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반도체 소재 유통

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POLY SILICON

폴리실리콘은 반도체 웨이퍼, 반도체용 실리콘 파츠, 대양광 모듈 등 다양한 시스템으로 이어지는 밸류 체인 (PV Value Chain)의 맨 앞에 위치한 핵심 기초소재입니다.

Sililcon Materials

폴리실리콘의 용도

폴리실리콘은 반도체 핵심 제품인 웨이퍼의 원재료이며 웨이퍼 가공을 위한 실리콘 파츠용 잉곳, 모듈 등 반도체의 주요 산업 밸류 체인 (PV Value Chain)의 맨 앞에 위치한 핵심 기초 소재입니다.

제이머티리얼즈는 반도체 파츠용 잉곳을 기르는데 필요한10-Nine 급(순도 99.99999999%)이상의 초고순도 제품과 반도체 웨이퍼에 사용되는 11-Nine 급(순도 99.999999999%) 폴리 실리콘을 유통합니다.

제조 과정

규소(SiO2)를 탄소화합물로 환원하여 제조한 메탈실리콘(MG-Si)을 주원료로 하여 수소, 염산 등과 반응시키고 제조된 혼합실란을 증류공정을 통해 고순도의 삼염화실란(TCS)을 제조합니다. 이를 다시 고온 상태에서 화학적 증착 반응시켜 고체상태의 고순도 폴리실리콘(Polysilicon)을 제조합니다.

반도체 산업 Value Chain

  • 폴리실리콘

  • 잉곳

  • 웨이퍼

  • 반도체

  • 전자기기

외관 및 특징

Property Specification
Appearance Qualified materials ㆍ 계약조건과 일치하는 폴리 실리콘 블록 또는 바의 품질 지표
ㆍ 재료의 외관과 표면은 작고 부드러움
ㆍ 깊이가 3mm 미만인 균열이 있을 수 있지만 중간층이 없음
Coral materials ㆍ 폴리 실리콘의 블록 또는 바, 외관이 작고 부드럽지 않거나 표면이 3mm 이상인 균열이 있는 외관 및 재료의 경우
ㆍ 만약 이러한 재료의 품질이 계약 요건에 부합하는 경우 비율에 관계없이 Materials로 분류
Wastes ㆍ 3mm 미만의 흑연을 가진 실리콘 입자 및 재료
Miscellanous items ㆍ Silicon 재료는 적격재료, Coral 재료, 폐기물로 분류되지 않음

Bulk purity parameters

Item Donor
(ppta)
Acceptor
(ppta)
Carbon
(ppma)
Total Bulk Metal
(ppbw)
XHP ≤150 ≤50 ≤0.080 ≤1.000
XHG
XHS
XHN ≤300 ≤100 ≤0.100 ≤1.000

Surface metal(pptw)

Surfac
treatment
Na Al K Cr F Ni Cu Zn
AE ≤800 ≤500 ≤300 ≤80 ≤500 ≤80 ≤50 ≤200
CH ≤1000 ≤800 ≤400 ≤100 ≤1000 ≤200 ≤100 ≤500

Size

Size
number
1# 2# 3# 4# 5# ...
Size/mm 2-6 6-45 45-100 20-70 30-100

INGOT

폴리실리콘은 반도체 웨이퍼, 반도체용 실리콘 파츠, 대양광 모듈 등 다양한 시스템으로 이어지는 밸류 체인 (PV Value Chain)의 맨 앞에 위치한 핵심 기초소재입니다.

Sililcon Materials - Ingot

제품사양

제품명 Silicon Crystal Silicon Ingot Multi-Crystal Silicon “Poly Ingot”
적용 Si Electrode
Si Ring
Si Parts
Si Ring
Si Parts
특성 Single Crystal Silicon Ingot Poly Ingot
순도(%) 99.9999999%(11N) 99.9999999(9N)
직경 Ø215~Ø600mm Customer Specification
길이 ≤ 355mm
(≤0.02 ohm.cm)
G6: 998mm*998*300
Gr: 1170mm*1170*300
방향 <100>,<110>,<111> Columnar
Type P type, Boron Doped P type, Boron Doped
저항 0.001~1000 Ω~Cm 0.001~1000 Ω~Cm
산소 함유량(ppma) ≤ 20 ppma ≤ 20 ppma
카본 함유량(ppma) ≤ 0.3 ppma ≤ 0.3 ppma

설계

Diameter Type/Orientation Resistivity(Ω·cm) Slip Length
200mm~300mm p<100>or as
customer
requried
<0.02
1-5
60-90
free 150mm~500mm
200mm~450mm p<100>or as
customer
requried
<0.02
1-5
60-90
free 150mm~400mm

품질관리

Parameter Method Standard
Resistivity 4-Point Probe SEMI
Impurities GDMS IC-Grade
Oxygen/Carbon SIMS Per-Spec

WAFER

웨이퍼(Wafer)란 집적회로를 올리기 위한 기반을 말합니다.
웨이퍼는 대부분 모래에서 추출한 규소, 바로 실리콘(Si)을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판물입니다.

Sales Wafer

웨이퍼의 개요

반도체 집적회로(Semiconductor Integrated Circuit)는 많은 소자를 하나의 칩 안에 집적한 전자부품을 말하며, 다양한 기능을 처리하고 저장하기 위해 만들어집니다.

웨이퍼(Wafer)란 그 집적회로를 올리기 위한 기반을 말합니다. 웨이퍼는 대부분 모래에서 추출한 규소, 바로 실리콘(Si)을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판물입니다.

12 INCH Wafer

용도 12 INCH
12“
New
12“
Reclaim
12“
Reclaim
12“
New Bare
12“
New Bare
12“
New Oxide
Wafer
Thickness
775 +25, -35um 700~800um 750~800um 750~800um 730~800um 730~800um
Oxide
Thickness
1.0um±5% 1.0um±5% N/A N/A N/A N/A
Type P-type P-type P-type P-type P-type P-type
Notch/Flat Notch Notch Notch Notch Notch Notch

8 INCH Wafer

용도 8 INCH
8“
New Oxide
8“
Reclaim
8“
Reclaim
8“
New Bare
8“
New Oxide
8“
Reclaim
8“
Reclaim
8“
New Bare
8“
New Bare
Wafer
Thickness
725±25um 725±25um >600 725±25um 725±25um >700um >600um 725±25um 725±25um
Oxide
Thickness
1.0um 1.0um N/A N/A 1.0um 1.0um N/A N/A N/A
Type P-type P-type P-type P-type P-type P-type P-type P-type P-type
Notch/Flat Notch Notch Notch Notch Flat Flat Flat Flat Notch

SLURRY

반도체 웨이퍼 및 파츠 등 표면 처리 공정에 쓰이는 주요 소모성 액체로써 음이온 계면활성제를 첨가 하여 분산성을 개선하여 세정성 및 웨이퍼 표면의 Stain 현상을 개선했습니다.

Slurry

JMS-100BH Slurry

  • Improvement of Cleansing

    콜로이달 실리카는 실리카 입자표면의 (-)charge의 서로간의 반발에 의해 안정성을 유지합니다.
    M+는 금속 안정화 이온을 의미합니다. 음이온 계면활성제를 첨가하여 분산성을 개선하여 세정성 및 웨이퍼 표면의 Stain 현상을 개선했습니다.

  • pH stocking 방지 환경 개선

    연마율 향상 및 pH 유지를 위해 2차 아민류를 첨가 하여, 1차 아민류를 첨가한 타사 제품에 비해 첨가제(아민류) 휘발에 의한 냄새문제 개선 또한 pH가 급격히 감소하는 pH stocking 문제를 개선하였습니다.
    타사의 경우 1차 아민류는 끓는점이 상온(27℃)로서 환경(냄새) 문제 및 Slurry 사용시 pH stocking의 문제가 발생할 수 있습니다.

  • Improvement of particle distribution

    타사 대비 실리카 입자의 분포도가 가장 narrow하고 spherical 합니다.

  • Improvement of Metal Impurity

    Slurry내의 Metal impurity가 가장 낮으며, Slurry내 Chelating agent를 첨가하여 Cu, Ni 이온을 제어합니다.

Appendix - Physical properties

ITEM Unit JMS-100BH J..社 Remark
Abrasive Colloidal silica Colloidal silica
Solid content % 12.0±2.0 12.0±2.0
SpeᆞGra - 1.09 1.070
Size nm 90-110nm 80-120nm 입자 분포 좋음
Viscosity(at 25℃) cps <3 <3
pH - 11.31 11.45
pH controller NH22+ NH4+ 냄새 없음
  • JMS-100BH90-110nm

  • J..社80-120nm

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